Android阵营向来热衷于更高的硬件规格，如果没有堆到6GB RAM 256GB ROM都不好意思叫旗舰机。在三星率先发布8GB LPDDR4内存后，海力士（SK hynix）也推出单芯片封装的8GB LPDDR4-3733内存，适合用智能手机等移动设备，不出意外就是明年旗舰机的标配。

据外媒AnandTech分析，海力士8GB LPDDR4内存包含4颗2GB（16Gb） DRAM IC，整合为15mm×15mm的FBGA-366、FBGA-376封装规格，后者甚至还可与SoC或UFS堆叠在一起。海力士内存采用21nm制程，频率为3733MHz，传输带宽达29.8GB/s。

FBGA-366 ball在2016年第四季度实现量产，FBGA-376预计2017年第一季度供货，但海力士并未做出任何公告显得有些奇怪。此外，三星10nm制程LPDDR4内存的传输速度相比海力士快出14%，当然价格也会更贵些。

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