首尔2022年6月9日 /美通社/ -- SK海力士（或称“公司”，www.skhynix.com）宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。

* HBM (High Bandwidth Memory ，高带宽存储器 ) ：是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存，其数据处理速度大幅领先于传统 DRAM 。 HBM3 DRAM 是第四代 HBM 产品，此前三代分别为 HBM （第一代）、 HBM2 （第二代），以及 HBM2E （第三代）。

SK 海力士于去年十月宣布成功开发出业界首款 HBM3 DRAM ，时隔 七个月 即宣布开始量产，这有望进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位。

随着人工智能和大数据等尖端技术的加速发展，全球主要科技企业正在探索创新方法，以快速处理增速迅猛的数据量。相较于传统 DRAM ， HBM 在数据处理速度和性能方面都具有显著优势，有望获得业界广泛关注并被越来越多地采用。

英伟达（ NVIDIA ）在近日完成了对 SK 海力士 HBM3 样品的性能评估。 SK 海力士将向英伟达系统供应 HBM3 ，而该系统预计将在今年第三季度开始出货。 SK 海力士也将按照英伟达的计划，在今年上半年增加 HBM3 产量。

备受期待的英伟达 H100 被认为是当前全球范围内最大、性能最强的加速器。 SK 海力士的 HBM3 带宽可达 819GB/s ，有望增强加速计算的性能。这个带宽相当于能够在每秒传输 163 部全高清（ Full-HD ） 电影（每部影片约 5GB ）。

SK 海力士社长（事业总管）卢钟元表示，与英伟达的紧密合作使得 SK 海力士在高端 DRAM 市场稳获一流的竞争力。“我们的目标是通过持续、开放式协同合作，成为洞悉和解决客户需求的解决方案提供商（ Solution Provider ）。 ”

关于SK海力士

SK 海力士总部位于韩国 , 是一家全球领先的半导体供应商 , 为全球客户提供 DRAM( 动态随机存取存储器 ), NAND Flash(NAND 快闪存储器 ) 和 CIS(CMOS 图像传感器 ) 等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市 , 其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。